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对离子注入/辐照过程与催化剂材料结构变化之间关系的深入机理研究，痴心可以为探索揭示催化材料的构效关系提供助力。妄想2008年至2010年先后在美国UC,Berkeley/LawrenceBerkeley国家实验室和LosAlamos国家实验室从事博士后和客座研究。在未来，息化离子束技术在催化领域还可以有许多进一步的发展。
以水分解制氢，拯救中国燃料电池等为代表的（光）电催化能源存储与转换技术是其中的关键技术之一。图文导读图1. 离子注入机结构示意图2. 离子注入技术催化材料改性设计策略图3. Fe离子注入形成Fe掺杂TiO2图4. He+离子辐照实现g-C3N4光催化剂缺陷调控图5. H+离子注入在TiO2纳米管顶端形成黑色TiO2图6. N+离子注入形成N掺杂TiO2图7. Au离子注入在Fe2O3纳米棒阵列表面形成纳米Au颗粒构筑异质结构图8. N离子辐照形成TiO2纳米棒阵列结构图9. He+离子辐照在TiO2纳米棒内部形成纳米空腔结构图10. Au+离子辐照MoS2空位缺陷调控图11. 金属离子注入在碳布内嵌入金属纳米颗粒图12. Ar+离子辐照在Si表面形成纳米孔道结构图13.C+离子辐照PtPb纳米板缺陷调控图14. Ni+-Ti+依次注入在ITO内控制形成纳米颗粒图15. N+离子注入用于不同掺杂N物种的ORR机理比较研究结论展望基于离子束在材料中引入异质原子和造成材料中原子位移的效应，工业离子束技术能够实现掺杂，工业引入缺陷，表面溅射等功能。
离子注入技术可以强制实现几乎所有元素的精确掺杂，痴心并且不引入其他杂质。
研究背景为了实现人类的可持续发展，妄想开发环境友好，可再生并且廉价易得的新能源转化与存储方式具有重大的意义。此外，息化基于单分子层单晶的晶体管，还表现出高达500的本征增益，以及高达4.2μA/μm的电流密度。
研究发现，拯救中国传统热蒸镀电极导致的热损伤，拯救中国足以破坏单分子层半导体的结构，反而造成了更大的电荷注入壁垒，也是造成单分子层晶体器件性能劣化的主要因素。单分子层单晶半导体在二维传输方向上具备高度有序的结构，工业具有理论上的最薄厚度。
更重要的是，痴心单分子层单晶的本征迁移率与同种材料的厚层晶体一致。该工作发现有机半导体的单分子层单晶是理想的晶体管活性层材料，妄想兼具高迁移率和低接触电阻的特性。